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型号：
STP12N120K5Datasheet
数量：
85000
厂商：
ST
批号：
17+
封装：
TO-220
 
起订量
价格
10
￥65.00
100
￥55.00
1000
￥48.00
￥65.00
￥650.00

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详细信息
规格
FET 类型N 沟道
技术MOSFET（金属氧化物）
漏源极电压（Vdss）1200V（1.2kV）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）44.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1370pF @ 100V
Vgs（最大值）±30V
FET 功能-
功率耗散（最大值）250W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）690 毫欧 @ 6A，10V
工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型通孔
供应商器件封装TO-220
封装/外壳TO-220-3
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